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光貿易株式会社
〒113-0034
東京都文京区湯島3-13-8
湯島不二ビル301
電話番号：03-3832-3117
FAX番号 ：03-3832-3118
CINOGY社
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■メーカーの紹介
CINOGY Technologies社は、ドイツゲッチンゲンにあるHAWK大学のスピンオフカンパニーでレーザービームプロファイラーの専業メーカーです。CMOSやCCD、InGaAsベースのカメラを可視～近赤外レーザーの計測用にご用意しております。パルスレーザー、CWレーザーの出力やビームサイズの測定を可能にする各種取り揃えております。産業、医療や研究開発用途に必要なレーザーの重要なパラメーターの一つであるビーム形状の精密な測定が可能です。
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●小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201
外径寸法：40x40x20mm
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●小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1202
外径寸法：40x40x20mm |
●小型高分解能低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1203
外径寸法：40x40x20mm
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・CMOSサイズ：1/2”
（ローリングシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.7mmX5.3mm
・画素数：1288X1032（1.3M）
・画素サイズ：5.2μmX5.2μm
・波長域：
CMOS1201: 400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-UV: 150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
52μm/4mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：68dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW（または10KHz以上のパルス
レーザーの解析が可能）
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・CMOSサイズ：1/1.8”
（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.8mmX5.4mm
・画素数：1280X1024（1.3M）
・画素サイズ：5.3μmX5.3μm
・波長域：
CMOS1202:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1202-RT::320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1202-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1202-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1202-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
53μm/4.1mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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・CMOSサイズ：1/1.8”
（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：7.2mmX5.4mm
・画素数：1600X1200（2M）
・画素サイズ：4.5μmX4.5μm
・波長域：
CMOS1203:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1203-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1203-UV1:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1203-OM: 240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1203-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
45μm/4mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：14Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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●小型超高分解能低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1204
外径寸法：40x40x20mm
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●超小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201-nano
外径寸法：29x29x24mm
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●超小型大口径低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1.001-nano
外径寸法：29x29x24mm
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・CMOSサイズ：1/2.5”
（ローリングシャッタータイプ）
・有効サイズ：5.7mmX4.3mm
・画素数：2560X1920（5M）
・画素サイズ：2.2μmX2.2μm
・波長域：
CMOS1204:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1204-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1204-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1204-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
22μm/3.2mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：70dB
・フレームレート：5Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW（または10KHz以上のパルス
レーザーの解析が可能）
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・CMOSサイズ：1/1.8”
（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.8mmX5.4mm
・画素数：1280X1024（1.3M）
・画素サイズ：5.3μmX5.3μm
・波長域：
CMOS1201-nano:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201--nano-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-nano-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-nano-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1201-nano-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
53μm/4.1mm（最小/最大）
・ビット深度：10bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：40Hz（最大）
・インターフェース：USB3.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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・CMOSサイズ：1”
（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：11.3mmX11.3mm
・画素数：2048X2048（4.2M）
・画素サイズ：5.5μmX5.5μm
・波長域：
CMOS1.001-Nano:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1.001-Nano-RT:
320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1.001-Nano-UV:
150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1.001-Nano-IR:
1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
55μm/7.5mm（最小/最大）
・ビット深度：10bit
・ダイナミックレンジ：60dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB3.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション |
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●超超小型高分解能
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201-pico
外径寸法：15x15x11.5mm |
●35mm大口径CMOS
レーザービームプロファイラー
CinCam-CMOS-3501 |
●高分解能35mm大口径CMOS
レーザービームプロファイラー
CinCam-CMOS-3502 |
・CMOSサイズ：1/2.5”
・有効サイズ：5.7mmX4.3mm
・画素数：2560X1920（5M）
・画素サイズ：2.2μmX2.2μm
・波長域：
CMOS-1201-pico:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS-1201-pico-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS-1201-pico-RT:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS-1201-pico-OM:
240nm-1150nm(マイクロレンズ無)
・測定可能ビームサイズ：
22μm/3.2mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・ダイナミックレンジ：70dB
・フレームレート：4.6Hz
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW（または10KHz以上の
パルスレーザーの解析が可能） |
・CMOSサイズ：35mm
・有効サイズ：32.768mmX24.579mm
・画素数：5120X3840
・画素サイズ：6.4μmX6.4μm
・波長域：350nm - 1100nm
・測定可能ビームサイズ：
64μm/17mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・SNR：41.8dB
・フレームレート：3.8Hz
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス |
・CMOSサイズ：35mm
・有効サイズ：32.768mmX27.618mm
・画素数：7920X6004
・画素サイズ：4.6μmX4.6μm
・波長域：350nm - 1100nm
・測定可能ビームサイズ：
46μm/17mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・SNR：41.6dB
・フレームレート：1.4Hz
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス |
