電気 (MX-LN-10)
Vpi DC electrodes:6.5 V Typ.
Vpi RF electrodes @ 10Gb/s PRBS:
5.5 V Typ.
Electro-optic bandwidth S21 @ -3dB:
12 GHz Typ.
Ripple:0.5 dB
光 (MX-LN-10)
IL:-4 dB Typ.
ORL:< -40 dB Typ.
波長依存損失(1480-1600nm):0.5 dB
DC消光比:22 dB Typ.
インタフェース
入力ファイバ:PMF
出力ファイバ:SMF (PMF)
RF入力コネクタ:F-K |
|
電気
Vpi DC electrodes:7.0 V Typ.
Vpi RF electrodes @ 10Gb/s:6.5 V Typ.
Rise Time for 1ns pulse:50 ps Typ.
Electrical return loss S11 0-High cut-off E-O bandwidth:-12 dB
Ripple:0.5 dBre Typ.
光
IL:4 dB Typ.
ORL:-40 dB Typ.
波長依存損失(1480-1600nm):0.5 dB
DC消光比:43 dB Typ.
インタフェース
入力ファイバ:PMF
出力ファイバ:SMF (PMF)
RF入力コネクタ:F-K |
|
電気 (MXAN-LN10)
Vpi DC electrodes:6.5 V Typ.
Vpi RF electrodes @ 10Gb/s:5.5 V Typ.
Electro-optic bandwidth S21 @ -3dB:
12 GHz Typ.
Ripple:0.5 dB
光 (MXAN-LN10)
IL:-4 dB Typ.
ORL:-40 dB Typ.
波長依存損失(1480-1600nm):0.5 dB
DC消光比:22 dB Typ.
インタフェース
入力ファイバ:PMF
出力ファイバ:SMF (PMF)
RF入力コネクタ:F-K |