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光貿易株式会社
〒113-0034
東京都文京区湯島3-13-8
湯島不二ビル301
電話番号:03-3832-3117
FAX番号 :03-3832-3118
CINOGY社
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■メーカーの紹介
CINOGY Technologies社は、ドイツゲッチンゲンにあるHAWK大学のスピンオフカンパニーでレーザービームプロファイラーの専業メーカーです。CMOSやCCD、InGaAsベースのカメラを可視~近赤外レーザーの計測用にご用意しております。パルスレーザー、CWレーザーの出力やビームサイズの測定を可能にする各種取り揃えております。産業、医療や研究開発用途に必要なレーザーの重要なパラメーターの一つであるビーム形状の精密な測定が可能です。
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●小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201
外径寸法:40x40x20mm
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●小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1202
外径寸法:40x40x20mm |
●小型高分解能低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1203
外径寸法:40x40x20mm
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・CMOSサイズ:1/2”
(ローリングシャッタータイプ)
・有効サイズ:6.7mmX5.3mm
・画素数:1288X1032(1.3M)
・画素サイズ:5.2μmX5.2μm
・波長域:
CMOS1201: 400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-UV: 150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
52μm/4mm(最小/最大)
・ビット深度:8bit
・ダイナミックレンジ:68dB
・フレームレート:20Hz(最大)
・インターフェース:USB2.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW(または10KHz以上のパルス
レーザーの解析が可能)
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・CMOSサイズ:1/1.8”
(グローバルシャッタータイプ)
・有効サイズ:6.8mmX5.4mm
・画素数:1280X1024(1.3M)
・画素サイズ:5.3μmX5.3μm
・波長域:
CMOS1202:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1202-RT::320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1202-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1202-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1202-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
53μm/4.1mm(最小/最大)
・ビット深度:8bit
・ダイナミックレンジ:62dB
・フレームレート:20Hz(最大)
・インターフェース:USB2.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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・CMOSサイズ:1/1.8”
(グローバルシャッタータイプ)
・有効サイズ:7.2mmX5.4mm
・画素数:1600X1200(2M)
・画素サイズ:4.5μmX4.5μm
・波長域:
CMOS1203:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1203-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1203-UV1:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1203-OM: 240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1203-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
45μm/4mm(最小/最大)
・ビット深度:8bit
・ダイナミックレンジ:62dB
・フレームレート:14Hz(最大)
・インターフェース:USB2.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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●小型超高分解能低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1204
外径寸法:40x40x20mm
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●超小型低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201-nano
外径寸法:29x29x24mm
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●超小型大口径低価格
レーザービームプロファイラー
CMOS-1.001-nano
外径寸法:29x29x24mm
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・CMOSサイズ:1/2.5”
(ローリングシャッタータイプ)
・有効サイズ:5.7mmX4.3mm
・画素数:2560X1920(5M)
・画素サイズ:2.2μmX2.2μm
・波長域:
CMOS1204:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1204-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1204-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1204-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
22μm/3.2mm(最小/最大)
・ビット深度:8bit
・ダイナミックレンジ:70dB
・フレームレート:5Hz(最大)
・インターフェース:USB2.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW(または10KHz以上のパルス
レーザーの解析が可能)
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・CMOSサイズ:1/1.8”
(グローバルシャッタータイプ)
・有効サイズ:6.8mmX5.4mm
・画素数:1280X1024(1.3M)
・画素サイズ:5.3μmX5.3μm
・波長域:
CMOS1201-nano:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201--nano-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-nano-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-nano-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1201-nano-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
53μm/4.1mm(最小/最大)
・ビット深度:10bit
・ダイナミックレンジ:62dB
・フレームレート:40Hz(最大)
・インターフェース:USB3.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
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・CMOSサイズ:1”
(グローバルシャッタータイプ)
・有効サイズ:11.3mmX11.3mm
・画素数:2048X2048(4.2M)
・画素サイズ:5.5μmX5.5μm
・波長域:
CMOS1.001-Nano:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1.001-Nano-RT: 320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1.001-Nano-UV: 150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1.001-Nano-IR: 1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ:
55μm/7.5mm(最小/最大)
・ビット深度:10bit
・ダイナミックレンジ:60dB
・フレームレート:20Hz(最大)
・インターフェース:USB3.0
・モード:CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション |
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●超超小型高分解能
レーザービームプロファイラー
CMOS-1201-pico
外径寸法:15x15x11.5mm |
●35mm大口径CMOS
レーザービームプロファイラー
CinCam-CMOS-3501 |
●高分解能35mm大口径CMOS
レーザービームプロファイラー
CinCam-CMOS-3502 |
・CMOSサイズ:1/2.5”
・有効サイズ:5.7mmX4.3mm
・画素数:2560X1920(5M)
・画素サイズ:2.2μmX2.2μm
・波長域:
CMOS-1201-pico:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS-1201-pico-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS-1201-pico-RT:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS-1201-pico-OM:
240nm-1150nm(マイクロレンズ無)
・測定可能ビームサイズ:
22μm/3.2mm(最小/最大)
・ビット深度:12bit
・ダイナミックレンジ:70dB
・フレームレート:4.6Hz
・インターフェース:USB2.0
・モード:CW(または10KHz以上の
パルスレーザーの解析が可能) |
・CMOSサイズ:35mm
・有効サイズ:32.768mmX24.579mm
・画素数:5120X3840
・画素サイズ:6.4μmX6.4μm
・波長域:350nm - 1100nm
・測定可能ビームサイズ:
64μm/17mm(最小/最大)
・ビット深度:12bit
・SNR:41.8dB
・フレームレート:3.8Hz
・インターフェース:GigE
・モード:CW/パルス |
・CMOSサイズ:35mm
・有効サイズ:32.768mmX27.618mm
・画素数:7920X6004
・画素サイズ:4.6μmX4.6μm
・波長域:350nm - 1100nm
・測定可能ビームサイズ:
46μm/17mm(最小/最大)
・ビット深度:12bit
・SNR:41.6dB
・フレームレート:1.4Hz
・インターフェース:GigE
・モード:CW/パルス |